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IPB180N03S4L-01 |
TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB | Infineon Technologies | 询价QQ: |
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IPB180N03S4L-01参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3 包装数量:1000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss):30V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.05 毫欧 @ 100A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 140µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):239nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17600pF @ 25V 功率 - 最大值:188W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Hard Metr1766267-1 同轴,RF1-1337494-0 显示器模块 - LDMC-50747NF-AK 同轴,RF1-1337600-0 同轴,RF1-1337485-0 同轴,RF1-1337484-0 同轴,RF - 适1-1478041-0 同轴,RF1-1337491-0 板至板 - 接头,1-5536279-1 同轴,RF - 适1-1478042-0 |