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IPB180N03S4L-01

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB Infineon Technologies
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IPB180N03S4L-01参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
包装数量:1000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.05 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):239nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17600pF @ 25V
功率 - 最大值:188W
安装类型:表面贴装

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